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參數(shù)描述
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產(chǎn)品說(shuō)明:650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管
封裝:TOLL-8產(chǎn)品說(shuō)明:1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管
封裝:HiP247-4產(chǎn)品說(shuō)明:1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管
封裝:HiP247-3產(chǎn)品說(shuō)明:650V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管
封裝:HiP247-4產(chǎn)品說(shuō)明:650V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管
封裝:HiP247-4產(chǎn)品說(shuō)明:3V 至 20V、30mΩ、1A 至 5A 電子保險(xiǎn)絲
封裝:QFN-16產(chǎn)品說(shuō)明:具有過(guò)壓保護(hù)功能的 2.7V 至 18V、34mΩ、0.5A 至 4A 電子保險(xiǎn)絲
封裝:WSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1800 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說(shuō)明:電流和電力監(jiān)控器、調(diào)節(jié)器 0-Drift 雙向電流/電力 Mon A 595
封裝:SOIC-8產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1600 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說(shuō)明:具有自動(dòng)重試故障響應(yīng)功能的 4.5V 至 18V、90mΩ、0.4A 至 1.6A 電子保險(xiǎn)絲
封裝:SOIC-8產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,2200 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說(shuō)明:具有斷電保護(hù)功能和 1.8V 輸入邏輯的 5V、2:1 (SPDT)、4 通道模擬開(kāi)關(guān)
封裝:TSSOP-16產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1800 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1600 V
封裝:BG-PB60AT-1電話咨詢:86-755-83294757
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