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產(chǎn)品分類(lèi)

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買(mǎi)數(shù)量

單價(jià)

操作

SCT055TO65G3
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:TOLL-8
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTWA40N120G2V-4
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:HiP247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTWA40N120G2V
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:HiP247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCTWA35N65G2V-4
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:650V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:HiP247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT040W65G3-4
ST

產(chǎn)品說(shuō)明:650V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

封裝:HiP247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TPS2420RSAR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:3V 至 20V、30mΩ、1A 至 5A 電子保險(xiǎn)絲

封裝:QFN-16
10起
19000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TPS259573DSGR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:具有過(guò)壓保護(hù)功能的 2.7V 至 18V、34mΩ、0.5A 至 4A 電子保險(xiǎn)絲

封裝:WSON-8
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD500N18KOF

產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1800 V

封裝:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
INA219BIDR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:電流和電力監(jiān)控器、調(diào)節(jié)器 0-Drift 雙向電流/電力 Mon A 595

封裝:SOIC-8
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD500N16KOF

產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1600 V

封裝:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TPS25921ADR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:具有自動(dòng)重試故障響應(yīng)功能的 4.5V 至 18V、90mΩ、0.4A 至 1.6A 電子保險(xiǎn)絲

封裝:SOIC-8
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD430N22KOF

產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,2200 V

封裝:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TMUX1574PWR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:具有斷電保護(hù)功能和 1.8V 輸入邏輯的 5V、2:1 (SPDT)、4 通道模擬開(kāi)關(guān)

封裝:TSSOP-16
10起
16000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD425N18KOF

產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1800 V

封裝:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD425N16KOF

產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1600 V

封裝:BG-PB60AT-1
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BTS3160D

產(chǎn)品說(shuō)明:電源開(kāi)關(guān)/驅(qū)動(dòng)器 1:1 N 通道 7.8A PG-TO252-5-13

封裝:TO-252-5
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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