商品名稱:IGI60F5050A1L
數(shù)據(jù)手冊(cè):IGI60F5050A1L.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TIQFN-28
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IGI60F5050A1L 集成了由兩個(gè) 500 mΩ(典型 RDS(on))/600 V 增強(qiáng)模式 CoolGaN? HEMT 構(gòu)成的半橋功率級(jí),帶專用柵極驅(qū)動(dòng)器,采用 8 x 8 mm QFN-28 封裝。
因此,該器件非常適合支持高密度 AC-DC 充電器和適配器的設(shè)計(jì),利用了 CoolGaN? 電源開關(guān)的卓越開關(guān)行為。英飛凌 CoolGaN? 和相關(guān)功率開關(guān)提供了非常穩(wěn)健的柵極結(jié)構(gòu)。當(dāng)其在“導(dǎo)通”狀態(tài)下由數(shù)毫安的連續(xù)柵極電流驅(qū)動(dòng)時(shí),導(dǎo)通電阻 RDS(on) 將始終處于最低值,不受溫度和參數(shù)變化的影響。
驅(qū)動(dòng)器采用片上無芯變壓器技術(shù) (CT),以實(shí)現(xiàn)輸入信號(hào)到高側(cè)的電平轉(zhuǎn)換。此外,即使在 300 V/ns 以上的極快開關(guān)瞬態(tài)下,無芯變壓器技術(shù) 也能保證其穩(wěn)健性。
特征描述
帶數(shù)字輸入、電源輸出模塊的隔離數(shù)字輸入
可根據(jù)應(yīng)用需求配置開關(guān)性能
快速、高精度、穩(wěn)定計(jì)時(shí)
采用熱增強(qiáng)型 8x8mm QFN-28 封裝
優(yōu)勢(shì)
配有 2 個(gè)數(shù)字 PWM 輸入,易于驅(qū)動(dòng)
低系統(tǒng) BOM
通過簡(jiǎn)單 RC 接口實(shí)現(xiàn)柵極路徑的完全可配置
可設(shè)置很短的死區(qū)時(shí)間,以最大限度地提高系統(tǒng)效率
小型封裝,適用于緊湊型系統(tǒng)設(shè)計(jì)
潛在應(yīng)用
USB-PD
充電器和適配器
服務(wù)器、電信 和網(wǎng)絡(luò) SMPS
低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)
LED 照明
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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