商品名稱:IPLK80R1K2P7
數據手冊:IPLK80R1K2P7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
IPLK80R1K2P7 是 800V CoolMOS? P7 超級結 MOSFET 晶體管。它在性能、易用性和性價比方面充分滿足了市場需求,是低功耗 SMPS 應用的理想之選。
特性概述
同類最佳的 FOM RDS(on) * Eoss;降低了 Qg、Ciss 和 Coss
同類最佳的 280mΩ DPAK RDS(on)
同類最佳 3V V(GS)th,最小 V(GS)th 變化為 ± 0.5V
集成齊納二極管 ESD 保護高達 2 級(HBM)
同類最佳的質量和可靠性
低 EMI
廣泛的 RDS(on) 值范圍
全面優(yōu)化的產品組合
優(yōu)勢
與 CoolMOS? C3 相比,效率提高 0.1% 至 0.6%,MOSFET 溫度降低 2°C 至 8°C
實現更高的功率密度設計、節(jié)省 BOM 和降低裝配成本
易于驅動和設計
與最新的 CoolMOS? 充電器技術相比,功率密度更高
通過減少 ESD 相關故障,提高生產良率
減少生產問題和現場退貨
易于選擇合適的部件對設計進行微調
潛在應用
高密度充電器和適配器
USB-PD
音頻
工業(yè) SMPS
輔助電源
型號
品牌
封裝
數量
描述
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ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現靈活設計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產的一款功率MOSFET產品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現了設計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術,可滿足開關電源、電機驅動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。ISC023N03LF2S產品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,可為各種應用提供支持,實現靈活設計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關鍵參數:FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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