商品名稱:IPAN60R210PFD7S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPAN60R210PFD7S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO220-FP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPAN60R210PFD7S功率MOSFET是一項(xiàng)革命性高壓功率MOSFET技術(shù),采用超結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì),由英飛凌首創(chuàng)。最新的CoolMOS? PFD7是一個(gè)經(jīng)過優(yōu)化的平臺(tái),根據(jù)消費(fèi)市場(chǎng)的目標(biāo)成本敏感型應(yīng)用而量身定制,例如充電器、適配器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和照明等。該全新系列不但具有快速開關(guān)超級(jí)結(jié)MOSFET的所有優(yōu)勢(shì),而且性價(jià)比和易用性極高。該技術(shù)達(dá)到最高效率標(biāo)準(zhǔn),并支持高功率密度,從而助力客戶實(shí)現(xiàn)超薄設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):16A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):210 毫歐 @ 4.9A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 240μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):23 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1015 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):25W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-FP
封裝/外殼:TO-220-3 整包
應(yīng)用
● 用于高密度充電器、適配器、照明和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中的ZVS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
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BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開關(guān),屬于多通道功率開關(guān)IC,專為 汽車電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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