BGS14MA11 是基于 LTE 和 WCDMA 的多模手機的完美解決方案。它基于英飛凌的專有技術,具有出色的射頻性能。超低插入損耗可幫助客戶實現(xiàn)較高的系統(tǒng)靈敏度,LTE Tx 功率覆蓋范圍和 6 GHz 頻率可實現(xiàn)非常廣泛的應用。它具有無直流射頻端口,只有在外部施加直流電壓時才需要在射頻端口外接直流阻斷電容器。
特點
超低插入損耗,頻段 41 為 0.3dB,LTE U/ LAA 為 0.85dB
LTE 發(fā)射機功率處理能力
0.1 至 6.0 GHz 覆蓋范圍,適用于 LTE 和 LAA 應用
低諧波產(chǎn)生
端口間隔離度高
適用于 C2K / LTE / WCDMA 應用
包括 ESD 保護在內(nèi)的片上控制邏輯
完全兼容 MIPI 2.0 RFFE 標準
軟件可編程 MIPI RFFE USID
USID 交換功能
外形小巧,1.15 毫米 x 1.55 毫米
無需阻斷電源
USID 選擇引腳允許每個 MIPI RFFE 總線有兩個器件
無需去耦電容器(除非射頻線路上有直流電壓)
高 EMI 強度
符合 RoHS 和 WEEE 規(guī)范的封裝
應用
適用于 C2K / LTE / WCDMA 和 LAA 應用
移動設備和智能手機
電動汽車車載電池充電器 (OBC)
電信基礎設施
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其關鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。該設備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應用包括開關模式電源 (SMPS)、電機驅動器、電池供電設…IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級結(SJ)原理設計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET,具有低開關和導通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性,可實現(xiàn)快速設計導入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術,可簡化熱管理。此外,IPT65R025CM8符合RoHS標準,且…電話咨詢:86-755-83294757
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