商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ON
年份:25+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
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UJ4C075018K4S:750V,18mohm,碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管,TO-247-4
基本信息:
型號:UJ4C075018K4S
封裝:TO-247-4
類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(共源共柵 SiCJFET)
漏源電壓(Vdss):750 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):81A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):23 毫歐 @ 20A,12V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):37.8 nC @ 15 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1422 pF @ 100 V
功率耗散(最大值):385W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:TO-247-4
封裝/外殼:TO-247-4
UJ4C075018K4S 產(chǎn)品特征:
最高工作溫度: 175 °C
導通電阻 (RDS(on)): 18 歐姆(典型值)
出色的反向恢復能力
低柵極電荷
UJ4C075018K4S 應用:
電動汽車充電
光伏逆變器
開關(guān)模式電源
功率因數(shù)校正模塊
電機驅(qū)動器
感應加熱
型號
品牌
封裝
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描述
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NCV78343DQ0R2G
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AR0234CSSM28SUKA0-CR是(onsemi)推出的一款1/2.6英寸200萬像素CMOS數(shù)字圖像傳感器,有源像素陣列為1920 (H) x 1200 (V)。它采用了一種創(chuàng)新的全局快門像素設計,以每秒120幀的全分辨率準確而快速地捕捉移動場景。以下是其核心特性:一流的全局快門效率低暗電流/熱像素高…AS0149ATSC00XUEA1-DPBR2
AS0149ATSC00XUEA1-DPBR2 CMOS數(shù)字圖像傳感器設計用于汽車應用,具有1312Hx986V有源像素陣列。該傳感器提供輸出格式,包括RGB888、YUV422、BT.656或BT.601。借助卷簾快門讀數(shù),AS0149ATSC00XUEA1-DPBR2傳感器可在線性或高動態(tài)范圍模式下捕獲彩色圖像。AS0149ATSC00XUEA1-…FGY4L100T120SWD
FGY4L100T120SWD 采用新穎的現(xiàn)場停止第 7 代 IGBT 技術(shù)和第 7 代二極管,采用 TO247 4 引線封裝,具有低開關(guān)和傳導損耗的最佳性能,可在太陽能逆變器、UPS 和 ESS 等各種應用中高效運行。FGY4L100T120SWD 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù): Si 封裝 / 箱體…電話咨詢:86-755-83294757
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